000			04113nam a22003377i 4500
005			20251030135925.0
008			240425s2020 ||||| |||| 00| 0 spa d
040			_aCO-ViULL _erda _bspa
041			_aspa
090			_aELE _b0423
100	1		_aAlvarez Ruiz, Fernando Alexis _9161750, _eautor. _4aut
245	1	0	_aTermografía en inversores de corriente DC/AC basados en dispositivos MOSFET, IGBT Y BJT.
264		1	_aVillavicencio, Meta : _bUniversidad de los Llanos, _c2020.
300			_3Incluye Informe cientifíco. _a236 páginas : _bIncluye figuras y tablas + _eCD ROOM .
336			_atexto _btxt _2rdacontent
337			_asin mediación _bn _2rdamedia
338			_avolumen _bnc _2rdacarrier
500			_aIncluye tabla de contenido.
502			_aTrabajo de grado presentado como requisito parcial para optar al título de INGENIERO ELECTRÓNICO.
504			_aIncluye referencias (pp.193-197)
505	8		_aEtapa 1: Planeación. -- Etapa 2: Revisión de literatura. -- 4.3. Etapa 3: Diseño experimental. -- 4.4. Etapa 4: Montaje experimental. -- 4.5. Etapa 5: Análisis de resultados y conclusiones. -- 5.3.1. Transistores BJT. -- 5.3.1.1. Estructura física del transistor de unión bipolar. -- 5.3.1.2. Regiones de operación. -- 5.3.1.3. Tipos de configuración. -- 5.3.1.4. Curvas características. -- 5.3.2. Transistor MOSFET. -- 4 5.3.2.1. Estructura física. -- 5.3.2.2. Regiones de operación. -- 5.3.3. Transistores IGBT. -- 5.3.3.1. Estructura física. -- 5.3.3.2. Forma de uso y aplicaciones. -- 5.3.4. Inversores de corriente. -- 5.3.4.1. Clasificación de los inversores. -- 5.3.4.2. Tipos de onda. -- 5.3.4.2.1. Onda Senoidal pura. -- 5.3.4.2.2. Onda Senoidal modificada. -- 5.3.4.2.3. Onda cuadrada. -- 5.3.4.3. Tipos de modulación. -- 5.3.4.3.1. PWM. -- 5.3.4.3.2. UPWM. -- 5.3.4.3.3. OPWM. -- 5.3.5. Termografía. -- 5.3.5.1. Termografía pasiva. -- 5.3.5.2. Termografía activa. -- 5.3.5.2.1. Termografía. -- 5.3.5.2.2. Step heating. -- 5.3.5.2.3. Lock-in. -- 5.3.6. TERMOMETRO VISUAL IR VT02. -- 5.3.7. ADAFRUIT AMG8833. -- 5.3.8. Rapsberry pi 3 modelo B. -- 5.3.8.1. Puertos GPIO. -- 5.3.9. Python. -- 6. DESARROLLO DEL PROYECTO. -- 6.1. Diseño de los inversores.
520			_aLos análisis térmicos llevados a cabo en dispositivos electrónicos han adquirido gran importancia en cuanto a la evaluación del rendimiento de los mismos, por ende, se hizo necesario implementar un sistema para el estudio termográfico de un inversor de corriente, con el fin de recopilar información del comportamiento térmico del inversor. Dicho sistema de estudio térmico tiene como ventajas principales su versatilidad, su tamaño compacto y su empleo sin restricciones ya que se elaboró con ayuda de un software de uso libre. En este documento se presenta una recopilación del trabajo de grado realizado bajo la modalidad EPI ‘‘TERMOGRAFÍA EN INVERSORES DE CORRIENTE DC/AC BASADOS EN DISPOSITIVOS MOSFET, IGBT Y BJT’’, en donde se realiza el diseño e implementación de un inversor de corriente con tres tipos de dispositivos diferentes, junto con su sistema termográfico, el cual se encarga de la recopilación de información que representa el comportamiento térmico de los transistores, que hacen parte de la etapa de potencia del inversor de corriente. Lo anterior mediante los datos de distribución de temperatura obtenidos gráficamente en todo el dispositivo, mientras este se encuentra en estado de trabajo activo. Para la implementación de este prototipo termográfico, se usó como sensor la cámara térmica Adafruit AMG8833, como hardware de adquisición de datos se empleó una Raspberry pi y con ayuda del lenguaje de programación Python se realizó el tratamiento digital de los datos obtenidos, para su posterior visualización gráfica y análisis de resultados.
650		0	_aInversor de corriente _9161751.
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